Grafeno sintetizado directamente sobre SiO2/Si mediante depósito químico de vapor

Abstract

El grafeno es un material bidimensional constituido por una monocapa de átomos de carbono obtenido y estudiado experimentalmente por primera vez en 2004. Este material posee características térmicas, elásticas, ópticas y electrónicas que lo vuelven atractivo para el desarrollo de nuevas tecnologías en diversas ramas. Existen diversos métodos de síntesis, como la reducción química de óxido de grafeno, exfoliación en fase líquida del grafito, descomposición térmica de carburo de silicio (SiC), exfoliación mecánica (método de la cinta adhesiva), depósito químico de vapor (CVD), entre otros. Uno de los desafíos que se presenta en la actualidad en la electrónica convencional radica en obtener en forma directa grafeno monocapa de alta calidad sobre sustratos dieléctricos para usarlos en dispositivos electrónicos. El problema que se intenta resolver con el presente trabajo es evitar la transferencia de grafeno al sustrato deseado, ya que esto implica una serie de pasos engorrosos y que inevitablemente generan contaminación del material. Se propone un método de síntesis directa de grafeno empleando la técnica CVD sobre un sustrato dieléctrico, utilizando una película delgada de cobre como catalizador.