Síntesis y caracterización mediante DRX, FESEM y GISAXS de películas delgadas de SnO2 dopado con CuO para sensores de H2S (g) de alta sensibilidad

Abstract

El dióxido de estaño (SnO2) es un semiconductor con una estructura cristalina de rutilo tetragonal. Este material cerámico tiene la propiedad de cambiar su resistividad eléctrica cuando se lo expone a gases tóxicos y/o explosivos específicos, como el H2, H2S, CO, o compuestos orgánicos volátiles (VOCs), entre otros. Esta característica lo convierte en un material adecuado para la fabricación de sensores altamente sensibles, capaces de detectar concentraciones de estos gases en niveles de partes por millón (ppm). Algunas de las características que determinan la capacidad del SnO2 como sensor son su cristalinidad y microestructura. La literatura revisada destaca avances significativos en la sensibilidad y estabilidad de este material a través del uso de dopantes [1] y la utilización de nanomateriales [2], entre otros. La motivación de este estudio es construir un sensor de alta sensibilidad que detecte de (10-15) ppm de un gas sumamente tóxico como es el H2S (g) en aire. Según la bibliografía, el dopado con CuO en un 5% en peso resulta altamente sensible y selectivo para dicho gas [3].