Las memorias denominadas de cambio de fase funcionan utilizando el alto contraste en la resistencia eléctrica entre los estados amorfo y cristalino de ciertos materiales, en particular se destacan los del sistema binario Sb-Te, ricos en antimonio, por ejemplo, el de composición Sb₇₀Te₃₀ (en % atómico). Películas delgadas amorfas de Sb₇₀Te₃₀ muestran una fuerte caída en la resistencia eléctrica en un rango de temperatura estrecho cuando se calientan, este cambio es indicativo de la transición amorfo-cristal. Es bien sabido que el agregado de diferentes metales mejora el rendimiento de las memorias de cambio de fase (transiciones más rápidas, mayor rango de temperaturas de uso, etc).