Estudio de dispositivos semiconductores expuestos a la radiación espacial

Abstract

El presente trabajo apuntó a estudiar procesos físicos que ocurren en dispositivos electrónicos sometidos a radiaciones espaciales. Por medio de algoritmos numéricos se realizó el modelado y la simulación de los dispositivos electrónicos. La descripción del comportamiento de estos dispositivos se logra mediante la resolución, en forma numérica, de las ecuaciones de Poisson y de continuidad en forma acoplada. Los efectos de la radiación tenidos en cuenta en este trabajo son los daños por desplazamiento de los átomos, lo que produce una disminución de la vida media de los portadores. Algunos de los resultados obtenidos pudieron ser comparados con mediciones experimentales, encontrándose una muy buena concordancia entre ambos, y corroborando la validez del modelo utilizado.

The present work aims at the study of physical processes that take place in electronic devices subjected to spatial radiation. The modelling and simulation of electronic devices is done by means of numerical algorithms. By using the coupled Poisson and Continuity equation we have obtained the description of the behaviour of electronics devices numerically. The effeets of the radiation accounted in the present work are the damages for atomic displacements which produce a decrease in the lifetime of the carriers. Some of the results obtained were compared with experimental measures, therefore obtaining a nearly exact agreement between both of them, and corroborating the validity of the model used.