Subir material

Suba sus trabajos a SEDICI, para mejorar notoriamente su visibilidad e impacto

 

Mostrar el registro sencillo del ítem

dc.date.accessioned 2022-02-14T13:17:35Z
dc.date.available 2022-02-14T13:17:35Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.uri http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/131000
dc.description.abstract Un sistema termofotovoltaico consta de tres partes distintas: una fuente de calor, la cual puede ser una llama o un emisor selectivo, un filtro de infrarrojo y una celda fotovoltaica. Debido a las características de su band gap, el Ge es un material apropiado para su utilización como celda termofotovoltaica en este tipo de sistemas, motivo por el cual fue elegido para su estudio en este trabajo. Se consideraron entonces homojunturas de Ge con ventana pasivante, para lo que primeramente se consideró InGaP y luego GaAs. Se simuló numéricamente el dispositivo con el código D-AMPS-1D, obteniéndose los parámetros eléctricos, la eficiencia cuántica externa y la reflectividad óptica espectral. Como fuente de iluminación se consideró el espectro generado por un emisor con manto incandescente de Er2O3 y el espectro AM1.5g con fines comparativos. Finalmente se calcularon los parámetros eléctricos para la homojuntura de Ge con ventana de GaAs a 50°C, temperatura típica de operación de los sistemas termofotovoltaicos. es
dc.description.abstract A thermal-photovoltaic system contains three different components: a source of heath that could be a black body or a selective emitter, and infrared filter and a solar cell. The low band gap of Ge makes this material suitable for thermal- photovoltaic applications. In this contribution Ge based homo-junction solar cells with passivating windows of InGaP and GaAs were analyzed. The different structures were modeled with the computer code D-AMPS-1D to obtain the external quantum efficiency, the optical reflectivity adopting as inputs electrical parameters collected from the available literature. The light source corresponds to the ones generated by an emitter covered with a layer of incandescent Er2O3. The response to the AM1.5g spectrum was also studied for comparison purposes. Finally the electrical parameters that correspond to a Ge homo-junction with a GaAs window operating at 50°C, the typical working temperature of thermal-photovoltaic systems, were evaluated. en
dc.language es es
dc.subject Celdas es
dc.subject Germanio es
dc.subject Simulación numérica es
dc.subject Aplicaciones termofotovoltaicas es
dc.subject Cells es
dc.subject Germanium es
dc.subject Numerical simulation es
dc.subject Thermophotovoltaic applications es
dc.title Estudio de celdas solares de Ge para aplicaciones termofotovoltaicas es
dc.type Articulo es
sedici.identifier.issn 0329-5184 es
sedici.creator.person Barrera, Marcela Patricia es
sedici.creator.person Rubinelli, Francisco Alberto es
sedici.creator.person Alurralde, Martín Alejo es
sedici.creator.person Plá, Juan Carlos es
sedici.subject.materias Ingeniería es
sedici.description.fulltext true es
mods.originInfo.place Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES) es
sedici.subtype Articulo es
sedici.rights.license Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0)
sedici.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
sedici.description.peerReview peer-review es
sedici.relation.journalTitle Avances en Energías Renovables y Medio Ambiente es
sedici.relation.journalVolumeAndIssue vol. 16 es


Descargar archivos

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0) Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente licencia Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0)