Evaluación del daño por radiación de celdas solares de distintos materiales con protones de 10MeV

Abstract

Se presentan los resultados correspondientes a experiencias de daño por radiación con protones de 10 MeV en celdas solares de distintos materiales. Se utilizaron celdas de doble juntura de GaAs sobre sustrato de Ge, heterojunturas de silicio amorfo o silicio cristalino epitaxial sobre silicio cristalino, y celdas de silicio cristalino con juntura obtenida por difusión. En el caso de las celdas de GaAs se irradiaron dispositivos con y sin vidrio protector con dosis de hasta 10<SUP>11</SUP> p/cm<SUP>2</SUP>, equivalente a la que recibiría en la misión SAOCOM, mientras que en el caso de las celdas heterojuntura se utilizaron dosis de hasta 10<SUP>12</SUP> p/cm<SUP>2</SUP>, y en aquellas de silicio cristalino se consideraron dosis intermedias que posibilitaron la medición de la vida media efectiva de los portadores minoritarios del dispositivo.

This article presents results obtained in radiation damage experiences on solar cells of different materials. The cells used were double junction GaAs/Ge, heterojunction on silicon (a-Si/c-Si and epi-Si/c-Si), and diffused c-Si homojunction. In the case of GaAs/Ge cells, devices with and without coverglass were irradiated with fluences up 10<SUP>11</SUP> p/cm<SUP>2</SUP>. The actual dose is equivalent that should receive during SAOCOM mission. On the other hand, heterojunction silicon cells were irradiated with fluences up 10<SUP>12</SUP> p/cm<SUP>2</SUP>, and crystalline silicon cells were damaged with intermediate fluences to allow lifetime measurements on these devices.