Análisis de la degradación de celdas y paneles fotovoltaicos con PC1D y modelo de dos diodos

Abstract

Se analizaron las curvas I-V a oscuras de celdas solares y módulos fotovoltaicos de silicio monocristalino, expuestos a la intemperie por 8 años, mediante el modelo de dos diodos y la simulación con PC1D. Si bien las curvas IV presentaban diferencias notables, en el conjunto de parámetros analizados se encontró que el incremento de la corriente de saturación de recombinación, obtenida ajustando las curvas con el modelo de dos diodos, está relacionado a la disminución de la vida media de recombinación de portadores en la zona de la juntura, estimada por PC1D.

Using the two diode model and simulated with PC1D software, dark I-V curves of the solar cells and photovoltaic modules exposed 8 years to the sun were analyzed. Although the I-V curves showed pronounced differences, from the lot of parameters studied, just one correlation was clear. The increase of the saturation recombination current, obtained by fitting of I-V curves using the two diode model, correlate with the decrease of recombination mean life of carrier at the pn interfase estimated by the PC1D method.