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dc.date.accessioned 2021-07-08T13:54:55Z
dc.date.available 2021-07-08T13:54:55Z
dc.date.issued 2011
dc.identifier.uri http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/121397
dc.description.abstract En este tutorial se hace una breve revisión de efectos de radiación en dispositivos y circuitos MOS. Se presentan en primer lugar efectos de dosis ionizante total, describiendo los efectos físicos que dan lugar a la modificación de características eléctricas de los dispositivos y como esa modificación puede afectar el comportamiento de circuitos en tecnologías modernas. Se presenta cómo las modificaciones eléctricas en los dispositivos pueden ser aprovechados para construir sensores en un dosímetro de radiación ionizante. Finalmente se presentan efectos puntuales en el funcionamiento de circuitos causados por el paso de una única partícula. es
dc.format.extent 2-2 es
dc.language es es
dc.subject Tecnologías CMOS es
dc.subject Radiación ionizante es
dc.title Efectos de radiación ionizante en dispositivos y circuitos MOS es
dc.type Objeto de conferencia es
sedici.identifier.isbn 978-950-34-0749-3 es
sedici.creator.person Lipovetzky, José es
sedici.description.note Sección: Tutoriales – Resúmenes es
sedici.subject.materias Ingeniería es
sedici.description.fulltext true es
mods.originInfo.place Centro de Técnicas Analógico-Digitales es
sedici.subtype Resumen es
sedici.rights.license Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0)
sedici.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
sedici.date.exposure 2011-09
sedici.relation.event II Congreso de Microelectrónica Aplicada (μEA 2011) (La Plata, 7 al 9 de septiembre de 2011) es
sedici.description.peerReview peer-review es
sedici.relation.bookTitle Libro de Memorias: II Congreso de Microelectrónica Aplicada 2011 es


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