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Roughening kinetics of chemical vapor deposited copper films on Si(100)

Tipo de documento: Articulo

Resumen

The roughening kinetics of copper films synthesized by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) on Si(100) substrates was investigated by scanning tunneling microscopy (STM). By applying the dynamic scaling theory to the STM images, a steady growth roughness exponent α=0.81±0.05 and a dynamic growth roughness exponent β=0.62±0.09 were determined. The value of a is consistent with growth model predictions incorporating surface diffusion. The value of β, while higher than expected from these models, can be related to LPCVD processing conditions favoring growth instabilities.

Información general

Fecha de publicación: 1996
Idioma del documento: Inglés
Revista: Applied Physics Letters; vol. 68, no. 9
Institución de origen: Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas
ISSN: 0003-6951; 1077-3118

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Creado el: 12 de octubre de 2021
Disponible en SEDICI desde: 12 de octubre de 2021
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  • http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/126508
  • https://doi.org/10.1063/1.115954

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