Técnica láser speckle dinámico en capas semiconductoras de ZnO

Abstract

Las capas delgadas de ZnO tienen amplia aplicación en optoelectrónica y en tecnología de celdas y sensores debido a su alta transparencia óptica en el rango visible y su elevado bandgap (Eg=3.3 eV). Adicionalmente, la utilización de dopaje con metales de transición puede mejorar su desempeño para nuevas aplicaciones y, en particular, el níquel por tener un radio iónico similar al zinc, es buen candidato para esta función. El desarrollo de films Ni:ZnO mediante la técnica sol-gel spray pyrolysis (SP) es de gran interés por su bajo costo, fácil escalabilidad y por ser amigable con el medio ambiente. Las técnicas de transmitancia óptica (UV-VIS-NIR) y difracción de rayos X (DRX) suelen utilizarse habitualmente para caracterizar estos films. Sin embargo, no se ha reportado hasta la actualidad estudios de Láser Speckle Dinámico (LSD) sobre films de ZnO. Esta técnica se ha utilizado para estudiar propiedades superficiales en muestras cerámicas y sistemas biológicos [4], por lo que se prevé que se ha útil para aportar información sobre los films. En este trabajo se presenta una caracterización de films de Ni:ZnO fabricados por SP. Para caracterizar las muestras se utilizó UV-VIS-NIR, DRX y LSD.