Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia

Abstract

Se estudian las propiedades ópticas y estructurales de películas nanocristalinas de Silicio hidrogenado depositadas por VHF-PECVD a muy baja temperatura (~ 150 ºC). Las condiciones de deposición se ajustaron de modo de obtener un material de buenas características fotovoltaicas. Se presenta la caracterización de películas de Silicio intrínseco, tipo n y p, obtenido empleando respectivamente diluciones de fosfina y diborano en silano. A fin de realizar dicha caracterización, se efectuaron mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectros de dispersión Raman y espectros de transmitancia de radiación UV-Vis.