Optimización de la reconstrucción de imágenes binarias registradas en un cristal BSO

Abstract

Si una distribución de intensidad binaria ilumina a un cristal BSO, al aplicar un campo externo la información queda registrada en variaciones locales de birrefringencia. En la etapa de lectura esta modulación de birrefringencia inducida combinada con la actividad óptica producen un cambio local en la elipticidad del haz. El frente de onda que emerge del cristal presentará zonas alternadas con estados de polarización lineal y elíptico La transmisión de un analizador lineal, en consecuencia, presentará dos niveles de intensidad que reconstruyen la forma de la distribución de entrada. El contraste de dicha distribución puede ser gobernada según la orientación del analizador. Se estudian las situaciones que permiten controlar además de la elipticidad del haz que lee la imagen registrada, el desfasaje entre la distribución de intensidad de los estados de polarización lineal y elíptico, en términos del espesor del cristal y el voltaje aplicado. Los resultados muestran que existe para un cristal de un espesor dado, un campo aplicado óptimo de trabajo lo que permite obtener imágenes de contraste directo e invertido comparables. Así mismo, el espesor podría ser utilizado como parámetro de control.

When a binary transparency illuminates a biased BSO crystal, the input is codified as local variations of birefringence producing two birefringent states. In the read-out step, a polarized plane wave will generates two different polarization states when the light exits the crystal. A analyzer is located immediately behind the crystal. Then, the contrast of the intensity distribution transmitted through the system can be controlled by properly setting the analizer. It is demonstrated that to erasure high visibility values for both the direct and reversed images it is necessary to achieve a similar ellipticity for both polarization states associated with the birefringent states. This is accomplished by adjusting the applied voltage to an optimum working value which strongly depends on the crystal thickness.