Gradiente de campo eléctrico en sitios de impureza <SUP>111</SUP>Cd/<SUP>181</SUP>Ta en óxidos semiconductores

Abstract

El motivo fundamental de esta Tesis es, a partir de un abordaje experimental, semiempírico y de primeros principios, aportar a la construcción de un modelo simple y a la vez confiable que dé cuenta de los orígenes del GCE y sea capaz de reproducirlo, permitiendo extraer toda la información del sólido que el GCE posee. Desde el punto de vista experimental hemos realizado un estudio sistemático con la técnica PAC del GCE en sitios de impureza <SUP>181</SUP>Ta en un conjunto amplio de óxidos binarios semiconductores, centrándonos en el grupo de sesquióxidos con estructura bixbita. Estos resultados, junto a los reportados en la literatura para compuestos caracterizados con la sonda <SUP>111</SUP>Cd, nos permitieron comparar resultados PAC obtenidos con dos sondas de configuración electrónica muy distinta. A partir de estas comparaciones hemos desarrollado un modelo semiempírico que da cuenta del GCE en sondas <SUP>111</SUP>Cd/<SUP>181</SUP>Ta y de las diferentes contribuciones al mismo. En el marco de este modelo, y dada la localización de las sondas en sitios catiónicos con diferente geometría de coordinación, hemos deducido una expresión para el GCE en función de la estructura electrónica de la sonda y la geometría de coordinación de la misma con sus primeros vecinos oxígeno. Demostramos además que este modelo semiempírico, a pesar de su simplicidad, posee una buena capacidad de predicción.