Propiedades electrónicas, estructurales estáticas y dinámicas de semiconductores bajo presión

Abstract

Una meta fundamental que se propone en los métodos de estructura de bandas es poder determinar las propiedades electrónicas de los materiales, a partir de métodos de cálculos que utilizen la menor información experimental posible. Si un método de cálculo usa un número mínimo de información que incluye como únicos datos de entrada la masa y número atómico de los átomos constituyentes, tal método se conoce como ab—initio ó de primeros principios. La caracterización total del sistema recae en la resolución de la ecuación de onda correspondiente a la interacción entre los electrones que lo constituye, interacción entre electrones e iones y por último la interacción entre los iones Los métodos utilizados, pertenecen a la mecánica cuántica, a la mecánica estadística y al electromagnetismo Los resultados obtenidos, pueden ser usados para poder predecir resultados, sugerir nuevas medidas proponer nuevas técnicas experimentales; parametrizar teorías semiempíricas para estudiar y sistemas más complejos; contribuir a través de la investigación aplicada al desarrollo de dispositivos electrónicos así como compuestos con características físicas prefijadas (Ciencia de los Materiales) En particular, se expondrá brevemente a continuación los métodos teóricos utilizados en la presente tesis para atacar el estudio de la estructura electrónica de semiconductores y distintas propiedades derivadas.