Colaboración ítalo-argentina para el estudio de celdas solares basadas en materiales III-V

Abstract

Dentro de las distintas alternativas para la fabricación de dispositivos fotovoltaicos se destacan sobre el resto dos tipos de materiales semiconductores cristalinos. Uno de ellos es el Si, de reconocido uso en aplicaciones terrestres de la conversión fotovoltaica (FV), mientras que en los últimos años los materiales III-V como base para la fabricación de celdas solares multijuntura han ganado un lugar más que destacado en aplicaciones espaciales. Considerando el consecuente interés que despiertan este tipo de dispositivos, se estableció una colaboración científica entre el GES de la CNEA y el Instituto IMEM-CNR de Parma, Italia, a fin de realizar estudios dirigidos a una mejor comprensión del funcionamiento y de las técnicas de fabricación y caracterización asociadas a las celdas solares basadas en materiales semiconductores III-V. Se presentan entonces las actividades realizadas hasta el momento en la deposición de películas semiconductoras por MOVPE, la optimización y simulación numérica de dispositivos, y finalmente la caracterización electrónica de los mismos.

Among the different alternatives for the fabrication of PV devices, two types of crystalline semiconductor materials outstand over the rest. One of them is the Si, of accredited use in terrestrial applications of PV conversion, while in the last years III-V materials as a base for the fabrication of multijunction solar cells have gained a distinguished place in space applications. Considering the consequent interest generated by this type of devices, a scientific collaboration between the Solar Energy Group (GES) from CNEA and the IMEM-CNR Institute from Parma, Italy, was established in order to perform studies aimed to gain a better knowledge about its functioning, and the fabrication and characterization techniques associated to the solar cells based on III-V semiconductor materials. Thus, activities performed to date on the deposition of semiconductor films by MOVPE, optimization and numerical simulation of devices, and finally electronic characterization of such devices are presented.