Simulación numérica de celdas solares de GaAs

Abstract

La provisión de energía eléctrica en los satélites está dada en casi la totalidad de los casos por sistemas fotovoltaicos, siendo las celdas solares el principal componente de dicho sistema, y el GaAs y el InGaP los materiales fotovoltaicos más importantes en aplicaciones espaciales. Dada la importancia que tienen este dipo de dispositivos se realizó la optimización y simulación numérica de una celda de GaAs mediante el código D-AMPS-1D. En este trabajo se detallan algunos de los parámetros necesarios para la simulación numérica, como los <i>offsets</i> de las bandas de valencia y de conducción en las interfaces, la movilidad de los portadores, la recombinación y el tiempo de vida media de los portadores y los índices de refracción complejos (n, k). Por último se muestran los parámetros eléctricos resultantes de la simulación realizada sobre un caso particular.

The power supply in satellites in most cases is given by photovoltaic systems, being the solar cels the main component of such system and GaAs and InGaP the more important materials in space applications. Given the importance gained by these type of devices the optimization and numerical simulation of GaAs solar cells was performed by using the DAMPS-1D code. In this work, some of the parameters necessary for the simulations as interface bands offsets, carrier mobilities, recombination parameters and lifetime of carriers, and complex refraction indexes (n, k) are detailed. Finally, electrical parameters obtained for a particular case are showed.