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dc.date.accessioned 2021-07-08T14:17:41Z
dc.date.available 2021-07-08T14:17:41Z
dc.date.issued 2011
dc.identifier.uri http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/121401
dc.description.abstract Los procesos de captura y liberación de carga en dispositivos MOS con Al2O3 crecido por Atomic Layer Deposition (ALD) como aislante de puerta son estudiados y caracterizados eléctricamente en relación a su dependencia con la tensión aplicada y el tiempo, mediante diferentes experimentos. Un modelo físico basado en un frente de túnel es propuesto con el fin de explicar los resultados obtenidos y poder extraer los parámetros físicos asociados, como la densidad y distribución energética de las trampas responsables de dichos fenómenos de captura. es
dc.format.extent 6-10 es
dc.language es es
dc.subject MOS devices es
dc.subject High-K gate dielectrics es
dc.subject Electron traps es
dc.title Captura y liberación de carga en dispositivos MOS con dieléctricos de alto-K es
dc.type Objeto de conferencia es
sedici.identifier.isbn 978-950-34-0749-3 es
sedici.creator.person Sambuco Salomone, Lucas es
sedici.creator.person Carbonetto, Sebastián es
sedici.creator.person García Inza, Mariano es
sedici.creator.person Lipovetzky, José es
sedici.creator.person Redín, Eduardo Gabriel es
sedici.creator.person Campabadal, Francesca es
sedici.creator.person Faigón, Adrián es
sedici.description.note Sección: Microelectrónica es
sedici.subject.materias Ingeniería es
sedici.description.fulltext true es
mods.originInfo.place Centro de Técnicas Analógico-Digitales es
sedici.subtype Objeto de conferencia es
sedici.rights.license Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0)
sedici.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
sedici.date.exposure 2011-09
sedici.relation.event II Congreso de Microelectrónica Aplicada (μEA 2011) (La Plata, 7 al 9 de septiembre de 2011) es
sedici.description.peerReview peer-review es
sedici.relation.bookTitle Libro de Memorias: II Congreso de Microelectrónica Aplicada 2011 es


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