Captura y liberación de carga en dispositivos MOS con dieléctricos de alto-K

Abstract

Los procesos de captura y liberación de carga en dispositivos MOS con Al2O3 crecido por Atomic Layer Deposition (ALD) como aislante de puerta son estudiados y caracterizados eléctricamente en relación a su dependencia con la tensión aplicada y el tiempo, mediante diferentes experimentos. Un modelo físico basado en un frente de túnel es propuesto con el fin de explicar los resultados obtenidos y poder extraer los parámetros físicos asociados, como la densidad y distribución energética de las trampas responsables de dichos fenómenos de captura.