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dc.date.accessioned 2021-07-12T13:57:44Z
dc.date.available 2021-07-12T13:57:44Z
dc.date.issued 1994
dc.identifier.uri http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/121468
dc.description.abstract El semiconductor InSe es un material de interés tecnológico debido a las propiedades de“switching” que posee. En orden a investigar la relación entre esta propiedad macroscópica y las interacciones hiperfmas de impurezas áceptoras de Cd, se llevaron a Cabo determinaciones de las interacciones cuadrupolares eléctricas de impurezas de ¹¹¹Cd en muestras mono y policristalinas de InSe, utilizando como técnica experimental las Correlaciones Angulares Perturbadas. Se comparan los resultados obtenidos experimentalmente con cálculos teóricos realizados usando un modelo de cargas puntuales. es
dc.format.extent 340-343 es
dc.language es es
dc.subject Compuesto InSe es
dc.subject Switching es
dc.title Interacciones hiperfinas de ¹¹¹Cd en monocristales de InSe es
dc.type Articulo es
sedici.identifier.uri https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/1375 es
sedici.identifier.issn 1850-1168 es
sedici.creator.person Shitu, Jorge Alejandro es
sedici.creator.person Damonte, Laura Cristina es
sedici.creator.person Mendoza Zélis, Luis Alejandro es
sedici.creator.person Pasquevich, Alberto Felipe es
sedici.creator.person Sánchez, Francisco Homero es
sedici.creator.person Marí, B. es
sedici.subject.materias Física es
sedici.description.fulltext true es
mods.originInfo.place Facultad de Ciencias Exactas es
sedici.subtype Articulo es
sedici.rights.license Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
sedici.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/
sedici.description.peerReview peer-review es
sedici.relation.journalTitle Anales AFA es
sedici.relation.journalVolumeAndIssue vol. 5, no. 1 es


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