Interacciones hiperfinas de ¹¹¹Cd en monocristales de InSe

Abstract

El semiconductor InSe es un material de interés tecnológico debido a las propiedades de“switching” que posee. En orden a investigar la relación entre esta propiedad macroscópica y las interacciones hiperfmas de impurezas áceptoras de Cd, se llevaron a Cabo determinaciones de las interacciones cuadrupolares eléctricas de impurezas de ¹¹¹Cd en muestras mono y policristalinas de InSe, utilizando como técnica experimental las Correlaciones Angulares Perturbadas. Se comparan los resultados obtenidos experimentalmente con cálculos teóricos realizados usando un modelo de cargas puntuales.