En este trabajo se presenta el estudio mediante simulaciones por computadora de celdas solares de GaAs con puntos cuánticos de InAs (InAs/GaAs QDSCs). El propósito es investigar desde el punto de vista teórico la interacción entre los QDs y el semiconductor matriz, y analizar detalladamente la influencia de la densidad y cantidad de capas de los QDs sobre la respuesta de la celda a la radiación solar. El modelo implementado, basado en ecuaciones de arrastre-difusión para el GaAs y ecuaciones de tasas para cada nivel de energía de los QDs, reproduce satisfactoriamente mediciones experimentales y resulta de suma utilidad para el análisis y diseño de dispositivos fotovoltaicos basados en nanoestructuras.
(Párrafo extraído del texto a modo de resumen)