Influência do tempo de difusão de boro no campo retrodifusor seletivo de alumínio e boro em células solares de silício

Abstract

O campo retrodifusor seletivo em células solares possibilita aumentar a eficiência e evita o abaulamento. O objetivo deste trabalho é analisar a influência do tempo de difusão de boro na formação do campo retrodifusor seletivo de alumínio e boro em células solares processadas em lâminas de silício Czochralski tipo p, grau solar. A difusão de boro foi implementada em toda a face posterior da lâmina e por serigrafia foi depositada a pasta de alumínio, somente nas trilhas metálicas. O processo de queima das pastas metálicas foi realizado em forno de esteira. Variou-se o tempo de difusão de boro de 10 a 30 minutos para a temperatura de difusão de 950 a 970 °C. Constatou-se que o melhor tempo de difusão depende da temperatura de difusão de boro e que a maior eficiência média, de (15,6 ± 0,1) %, foi obtida para a temperatura de 970 °C e tempo de difusão de 30 minutos.

The selective back surface field in solar cells enables to increase the efficiency and avoid the bowing. The objective of this study is to analyze the influence of boron diffusion time in the formation of boron/aluminum selective back surface field. The solar cells were processed in solar grade Si-Cz wafers. The boron diffusion was performed in the whole rear face of the silicon wafer and the aluminum paste was deposited by screen printing, only in the metal fingers. The firing process of the metal pastes was performed in a belt furnace. The boron diffusion time was ranged from 10 to 30 minutes for the diffusion temperature from 950 °C to 970 °C. It was found that the better diffusion time depends on the boron diffusion temperature and the highest average efficiency of solar cells, of (15.6 ± 0.1) %, was obtained with the temperature of 970 °C and the diffusion time of 30 minutes.